lMCVD技術可生產多種產品：通信類光纖（SM、DSF、NZ-DSF、GI多模、階躍折射率單模光纖等）；不同組分和材料的傳感器光纖和放大器光纖；用途廣泛的其他特種光纖等;

lMCVD制棒系統具有精確的參數化工藝設置；

lMCVD制棒系統采用的模塊化結構設計可以適應各種硅基纖維類預制件的制造要求；

lMCVD制棒系統設備簡單，投資成本低，應用范圍廣；

lMCVD制棒系統可以為預制件生產提供精密的加熱鼓泡室和工藝線路；

lMCVD制棒系統的所有氣體進行局部顆粒過濾（0.003微米）和壓力調節控制，并以最新的MFCs數字技術標準，采用雙質量流量控制器，以提高其工藝線路控制精度；

lMCVD車床提供熱防護罩：確保熱輻射、排除熱空氣、發生大泄露及機械故障時的安全，保證工作間的清潔度，保護工作人員健康；

lMCVD制棒系統使用人性化的人機操作界面，操作簡單友好并可按客戶要求定制；

lMCVD制棒系統可以提供不同長度的車床：2100至3000mm；

lMCVD車床可以提供多種不同規格型號的石英和不銹鋼燃燒器。

l預制件規格：≤φ50 mm

l直徑測量：φ5-φ40 mm（可按客戶要求配置直徑測量儀）

l直徑測量精度：±0.05 mm

l沉積期間的典型控制精度：平均直徑±0.15mm；最大直徑偏差：±0.25mm

l卡盤最大端面間距：2100mm

l卡盤通孔尺寸：φ110 mm

l熱區工作范圍：1600 mm

l卡盤夾持范圍：φ10～φ125 mm

l卡盤最大旋轉速度：100 r/min

l燈頭移動速度：3～3000 mm/min

l工作溫度范圍：1650～2100℃

l溫度測量范圍：900～2500 ℃

鑒于MCVD設備在制備不同種類的預制棒上具有很強的靈活性，所以如今它已經成為生產高品質通信光纖用預制棒的四大主要方法之一，并在傳感與激光用特種光纖預制棒制造領域擁有較為廣泛的應用。

MCVD法可在高質量（高純度、低水分、低雜質）的石英管（通常稱之為襯管）內壁沉積更高純度的二氧化硅（SiO?），并摻以可改變折射率或玻璃體粘度的其他一些高純物質，如二氧化鍺（GeO?），五氧化二磷（P₂O₅），氟氧化硅（SiO_1·5F）等，形成不同折射率的芯層和包層，以實現光信號在光纖芯中傳播時的全反射、低損耗、高容量等效果。